சாம்சங் நிறுவனம் செமிகண்டக்டர் வணிகத்தில் அதன் திட்டங்களை அமெரிக்காவில் ஒரு மாநாட்டில் வெளியிட்டது. 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP மற்றும் 3nm Gate-All-Around Early/Plus தொழில்நுட்பத்திற்கு படிப்படியாக மாறுவதைக் காட்டும் சாலை வரைபடத்தைக் காட்டினார்.
தென் கொரிய நிறுவனமானது 7nm LPP தொழில்நுட்பத்தின் உற்பத்தியைத் தொடங்கும், இது EUV லித்தோகிராஃபியைப் பயன்படுத்தும், அடுத்த ஆண்டின் இரண்டாம் பாதியில், அதே நேரத்தில் போட்டியாளரான TSMC மேம்படுத்தப்பட்ட 7nm+ செயல்முறையுடன் உற்பத்தியைத் தொடங்க விரும்புகிறது மற்றும் 5nm செயல்முறையுடன் அபாயகரமான உற்பத்தியைத் தொடங்க விரும்புகிறது. .
சாம்சங் 5 ஆம் ஆண்டின் இறுதியில் 2019nm LPE செயல்முறை மற்றும் 4 இல் 2020nm LPE/LPP செயல்முறையுடன் சிப்செட்களை உற்பத்தி செய்யத் தொடங்கும். FinFET டிரான்சிஸ்டர்களைப் பயன்படுத்தும் கடைசி தொழில்நுட்பமாக 4nm தொழில்நுட்பம் மாறும். 5nm மற்றும் 4nm செயல்முறை இரண்டும் சிப்செட்டின் அளவைக் குறைக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது, ஆனால் அதே நேரத்தில் செயல்திறனை அதிகரிக்கும் மற்றும் நுகர்வு குறைக்கும்.
3nm தொழில்நுட்பத்துடன் தொடங்கி, நிறுவனம் அதன் சொந்த MBCFET (மல்டி பிரிட்ஜ் சேனல் FET) GAA (கேட் ஆல்அரவுண்ட்) கட்டமைப்பிற்கு மாறும். எல்லாம் திட்டத்தின் படி நடந்தால், 3nm செயல்முறையைப் பயன்படுத்தி 2022 இல் சிப்செட்கள் தயாரிக்கப்பட வேண்டும்.
