சாம்சங் இன்று தனது புதிய DDR3 DRAM தொகுதிகளை 20-நானோமீட்டர் உற்பத்தி செயல்முறையைப் பயன்படுத்தி பெருமளவில் உற்பத்தி செய்யத் தொடங்கியது. இந்த புதிய தொகுதிகள் 4ஜிபி, அதாவது 512எம்பி திறன் கொண்டவை. இருப்பினும், தனிப்பட்ட தொகுதிகளின் கிடைக்கும் நினைவகம் அவற்றின் முதன்மை அம்சம் அல்ல. முன்னேற்றமானது ஒரு புதிய உற்பத்தி செயல்முறையைப் பயன்படுத்துவதில் துல்லியமாக உள்ளது, இதன் விளைவாக பழைய, 25-நானோமீட்டர் செயல்முறையுடன் ஒப்பிடும்போது 25% வரை குறைந்த ஆற்றல் நுகர்வு ஏற்படுகிறது.
20-என்எம் தொழில்நுட்பத்திற்கு நகர்வது 10-என்எம் செயல்முறையைப் பயன்படுத்தி நினைவக தொகுதிகளின் உற்பத்தியைத் தொடங்குவதில் இருந்து நிறுவனத்தை பிரிக்கும் கடைசி படியாகும். தற்போது புதிய தொகுதிகளுக்குப் பயன்படுத்தப்படும் தொழில்நுட்பம் சந்தையில் மிகவும் மேம்பட்டது மற்றும் கணினிகள் மட்டுமல்ல, மொபைல் சாதனங்களிலும் பயன்படுத்தப்படலாம். கணினிகளைப் பொறுத்தவரை, சாம்சங் இப்போது அதே அளவுடன் சிப்களை உருவாக்க முடியும், ஆனால் கணிசமாக பெரிய இயக்க நினைவகத்துடன். சாம்சங் அதன் தற்போதைய தொழில்நுட்பத்தை மாற்றியமைக்க வேண்டியிருந்தது, தற்போதைய உற்பத்தி முறையைப் பராமரிக்கும் போது சில்லுகளை சிறியதாக மாற்ற முடியும்.
- நீங்கள் இதில் ஆர்வமாக இருக்கலாம்: Samsung முதல் 8Gb LPDDR4 மொபைல் DRAM நினைவகத்தை உருவாக்கியுள்ளது
